住房城乡建设部关于发布国家标准《硅集成电路芯片工厂设计规范》的公告

　　现批准《硅集成电路芯片工厂设计规范》为国家标准，编号为GB50809-2012，自2012年12月1日起实施。其中，第5.2.1、5.3.1、8.2.4、8.3.11条为强制性条文，必须严格执行。

　　本规范由我部标准定额研究所组织中国计划出版社出版发行。

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　中华人民共和国住房和城乡建设部
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　     2012年10月11日

1 总则开

1.0.1 为在硅集成电路芯片工厂设计中贯彻执行国家现行法律、法规，满足硅集成电路芯片生产要求，确保人身和财产安全，做到安全适用、技术先进、经济合理、环境友好，制定本规范。

1.0.2本规范适用于新建、改建和扩建的硅集成电路芯片工厂的工程设计。

1.0.3 硅集成电路芯片工厂的设计应满足硅集成电路芯片生产工艺要求，同时应为施工安装、调试检测、安全运行、维护管理提供必要条件。

1.0.4硅集成电路芯片工的设计，除应符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。

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3工艺设计

3.1 一般规定

1 满足产品生产的成品率的要求；

2 满足工厂产能的要求；

3 具有工厂今后扩展的灵活性

4 满足节能、环保、职业卫生与安全方面的要求。

3.1.2 硅集成电路芯片工厂设计时应合理设置各种生产条件，在满足硅集成电路生产要求的前提下，宜投资少、运行费用低、生产效率高。

左

3.21 生产的工艺技术和配套的设备应按硅集成电路芯片工厂的产品类型、月最大产能、生产制造周期、投资金额、长期发展进程等因素确定。

3.22对于线宽在 0.35μm及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用4英寸～6英寸芯片生产设备进行加工。

3.23 对于线宽在0.13μm及以上工艺的硅集成电路的研发和生产，宜采用8英寸芯片生产设备进行加工。

3.24 对于线宽在20nm~90nm工艺及以下的硅集成电路的研发和生产，宜采用12英寸芯片生产设备进行加工。

3.3工艺布局

3.3.1 工艺布置应满足产品类型、规划和产能目标的要求。

3.3.2工艺布局应根据生产工序分为包含光刻、刻蚀、清洗、